Tel
Telepon: 0086-516-83913580
E-mail
sales@yunyi-china.cn

Efisiensi dan Daya Tahan Tinggi Dioda SiC TO-220AB 3L

Deskripsi Singkat:

Struktur Kemasan: 3L TO-220AB

Pendahuluan: Dioda SiC YUNYI 3L TO-220AB terbuat dari bahan silikon karbida. Dioda SiC memiliki konduktivitas termal yang tinggi, yang secara efektif dapat meningkatkan kerapatan daya. Semakin tinggi konduktivitas termal, semakin kuat kemampuan material untuk mentransfer panas ke lingkungan, semakin kecil kenaikan suhu perangkat, semakin kondusif untuk meningkatkan kerapatan daya perangkat daya, sehingga lebih cocok untuk bekerja di lingkungan suhu tinggi. Kekuatan medan tembus yang tinggi dari dioda SiC meningkatkan tegangan tahan dan mengurangi ukuran, dan kekuatan medan tembus elektronik yang tinggi meningkatkan tegangan tembus perangkat daya semikonduktor. Pada saat yang sama, karena peningkatan kekuatan medan tembus elektron, dalam hal peningkatan kerapatan penetrasi pengotor, pita lebar wilayah drift perangkat daya dioda SiC dapat dikurangi, sehingga ukuran perangkat daya dapat dikurangi.


Detail Produk

Memantau waktu respons

Rentang pengukuran

Label Produk

Keunggulan Dioda SiC 3L TO-220AB YUNYI:

1. Biaya kompetitif dengan kualitas tingkat tinggi

2. Efisiensi produksi tinggi dengan lead time pendek

3. Ukuran kecil, membantu mengoptimalkan ruang papan sirkuit

4. Tahan terhadap berbagai lingkungan alam

5. Chip low-loss yang dikembangkan sendiri

3L KE-220AB

Langkah-langkah Produksi Chip:

1. Pencetakan Mekanik (Pencetakan wafer otomatis super presisi)

2. Etching Pertama Otomatis (Peralatan Etching Otomatis, CPK>1.67)

3. Uji Polaritas Otomatis (Uji Polaritas Tepat)

4. Perakitan Otomatis (Perakitan Presisi Otomatis yang Dikembangkan Sendiri)

5. Penyolderan (Perlindungan dengan Campuran Nitrogen & Hidrogen Penyolderan Vakum)

6. Pengetsaan Kedua Otomatis (Pengetsaan Kedua Otomatis dengan Air Ultra-murni)

7. Perekatan Otomatis (Perekatan Seragam & Perhitungan Tepat Dilakukan oleh Peralatan Perekatan Otomatis yang Tepat)

8. Uji Termal Otomatis (Pemilihan Otomatis oleh Penguji Termal)

9. Uji Otomatis (Penguji Multifungsi)

贴片检测
芯片组装

Parameter produk:

Nomor Bagian Kemasan VRWM
V
IO
A
IFZM
A
IR
aku
VF
V
ZICRF10650CT ITO-220AB 650 10 60 60 1.7
ZICRF5650 ITO-220AC 650 5 60 60 2
ZICRF6650 ITO-220AC 650 6 60 50 2
Z3D06065F ITO-220AC 650 6 70 3(0,03 tipikal) 1.7 (umumnya 1.5)
ZICRF10650 ITO-220AC 650 10 100 120 1.7
ZICRF101200 ITO-220AC tahun 1200 10 110 100 1.8
ZICRF12600 ITO-220AC 600 12 50 150 1.7
ZICRF12650 ITO-220AC 650 12 50 150 1.7
Z3D03065F ITO-220AC 650 3 46 2(0,03 tipikal) 1.7 (umumnya 1.4)
Z3D10065F ITO-220AC 650 10 115 40(0,7 tipikal) 1.7 (umumnya 1.45)
Z4D10120F ITO-220AC tahun 1200 10 105 200(30 tipikal) 1.8 (umumnya 1.5)
ZICR10650CT KE-220AB 650 10 60 60 1.7
Z3D20065C KE-220AB 650 20 115 (per kaki) 40(0,7 tipikal)(per kaki) 1,7 (umumnya 1,45) (per kaki)
ZICR5650 KE-220AC 650 5 60 60 2
ZICR6650 KE-220AC 650 6 60 50 2
Z3D06065A KE-220AC 650 6 70 3(0,03 tipikal) 1.7 (umumnya 1.5)
Z3D10065A KE-220AC 650 10 115 40(0,7 tipikal) 1.7 (umumnya 1.45)
ZICR10650 KE-220AC 650 10 110 100 1.7
Z3D20065A KE-220AC 650 20 170 50(1,5 tipikal) 1.7 (umumnya 1.45)
ZICR101200 KE-220AC tahun 1200 10 110 100 1.8
ZICR12600 KE-220AC 600 12 50 150 1.7
ZICR12650 KE-220AC 650 12 50 150 1.7
Z3D03065A KE-220AC 650 3 46 2(0,03 tipikal) 1.7 (umumnya 1.4)
Z4D04120A KE-220AC tahun 1200 4 46 200(20 tipikal) 1.8 (umumnya 1.5)
Z4D05120A KE-220AC tahun 1200 5 46 200(20 tipikal) 1.8 (umumnya 1.65)
Z4D02120A KE-220AC tahun 1200 2 44 50(10 tipikal) 1.8 (umumnya 1.5)
Z4D10120A KE-220AC tahun 1200 10 105 200(30 tipikal) 1.8 (umumnya 1.5)
Z4D20120A KE-220AC tahun 1200 20 162 200(35 khas) 1.8 (umumnya 1.5)
Z4D08120A KE-220AC tahun 1200 8 64 200(35 khas) 1.8 (umumnya 1.6)
Z4D15120A KE-220AC tahun 1200 15 100 200(35 khas) 1.8 (umumnya 1.5)
Z3D15065A KE-220AC 650 15 162 25(0,5 tipikal) 1.7 (umumnya 1.5)
Z3D06065I Isolasi TO-220 650 6 70 3(0,03 tipikal) 1.7 (umumnya 1.5)
Z3D10065I Isolasi TO-220 650 10 115 40(0,7 tipikal) 1.7 (umumnya 1.45)

 


  • Sebelumnya:
  • Berikutnya:

  •