Ultra-steady Surface Mount PAR® Transient Voltage Suppressors (TVS) DO-218AB SM8S
Keuntungan dari DO-218AB SM8S:
1. Karena teknologi Metode Etsa Kimia, hasil negatif dari sarana pemotongan langsung dihilangkan.
2. Kuat dalam gelombang terbalik karena chip yang lebih besar daripada rekan-rekan.
3. Tingkat kegagalan yang sangat rendah dalam cuaca dan area yang berbeda
4. Disetujui oleh standar AEC-Q101
5. Fungsi dioda dioptimalkan, memanfaatkan perlindungan ilmiah pada sambungan PN.
KARAKTERISTIK UTAMA
VBR: 11,1 V hingga 52,8 V
VWM: 10 V hingga 43 V
PPPM (10 x 1000 s): 6600 W
PPPM (10 x 10.000 s): 5200 W
PD: 8 W
IFSM: 700 A
TJ maks.: 175 °C
Polaritas: Uni-directional
Paket: DO-218AB
Prosedur Produksi Chip
1. Pencetakan OtomatiskanPencetakan wafer otomatis ultra-presisi）
2. Etsa Pertama OtomatiskanPeralatan Etsa Otomatis CPK> 1,67）
3. Uji Polaritas Otomatis Tes Polaritas Tepat）
4. Perakitan Otomatis Perakitan Tepat Otomatis yang dikembangkan sendiri
5. Solder (Perlindungan dengan Campuran Nitrogen & Hidrogen
Solder Vakum)
6. Etsa Kedua Otomatis (Etsa Kedua Otomatis dengan Air Ultra-murni)
7. Perekatan Otomatis (Perekatan Seragam & Perhitungan Tepat Diwujudkan oleh Peralatan Perekatan Otomatis yang Tepat)
8. Uji Termal Otomatis (Seleksi Otomatis oleh Penguji Termal)
9. Tes Otomatis (Penguji Multifungsi)
